Cynhwysydd Snubber IGBT o safon uchel ar gyfer cymwysiadau pŵer uchel – CRE

Snubber gwerthiant poeth a wnaed yn y ffatri ar gyfer Thyristor Pwerus Uchel - Dyluniad cynhwysydd Snubber IGBT o'r radd flaenaf ar gyfer cymwysiadau pŵer uchel – Delwedd Nodwedd CRE

Disgrifiad Byr:

Anfonwch e-bost atom ni Lawrlwytho fel PDF

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Fideo Perthnasol

Adborth (2)

Mae gennym staff gwerthu, staff steilio a dylunio, criw technegol, tîm QC a gweithlu pecynnu. Mae gennym weithdrefnau rheoli rhagorol llym ar gyfer pob system. Hefyd, mae gan bob un o'n gweithwyr brofiad ym maes argraffu ar gyferCyddwysydd Mkp , Cynhwysydd Ac wedi'i Ddylunio'n Arbennig , Banc Cynhwysydd Hidlo AcByddwn yn darparu'r ansawdd gorau, o bosibl y gyfradd gystadleuol ddiweddaraf yn y farchnad, i bob cwsmer newydd a hen gyda'r atebion mwyaf ecogyfeillgar.

Snubber gwerthiant poeth a wnaed yn y ffatri ar gyfer Thyristor Pwerus Uchel - Dyluniad cynhwysydd Snubber IGBT o'r radd flaenaf ar gyfer cymwysiadau pŵer uchel – Manylion CRE:

Data technegol

Ystod tymheredd gweithredu	Tymheredd gweithredu uchaf., Uchafswm: +105 ℃ Tymheredd categori uchaf: +85 ℃ Tymheredd categori is: -40℃
ystod cynhwysedd	0.1μF～5.6μF
Foltedd graddedig	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
Gwrthsefyll foltedd	1.5Un DC/10S
Ffactor gwasgariad	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
Gwrthiant inswleiddio	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ar 20℃ 100V.DC 60S) C > 0.33μF RS * C ≥5000S (ar 20℃ 100V.DC 60S)
Gwrthsefyll cerrynt streic	gweler y daflen ddata
Ataliad fflam	UL94V-0
Disgwyliad oes	100000h(Dad; Θ man poeth ≤85 ° C)
Safon gyfeirio	IEC61071;GB/T17702;

Tabl manyleb

Foltedd	Un 700V.DC, Urms400Vac; Us1050V
	Dimensiwn (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	Saesneg fel Ail Iaith (nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
Foltedd	Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	Dimensiwn (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	Saesneg fel Ail Iaith (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
Foltedd	Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	Saesneg fel Ail Iaith (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
Foltedd	Un 1700V.DC, Urms575Vac; Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	Saesneg fel Ail Iaith (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
Foltedd	Un 2000V.DC, Urms700Vac; Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	Saesneg fel Ail Iaith (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
Foltedd	Un 3000V.DC, Urms750Vac; Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	Saesneg fel Ail Iaith (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

Lluniau manylion cynnyrch:

Canllaw Cynnyrch Perthnasol:

Mae ein nwyddau'n cael eu hadnabod yn gyffredin ac yn ddibynadwy gan ddefnyddwyr terfynol a byddant yn bodloni dymuniadau ariannol a chymdeithasol sy'n newid yn barhaus ar gyfer Snubber gwerthu poeth a wneir mewn Ffatri ar gyfer Thyristor Pwerus Uchel - Dyluniad cynhwysydd Snubber IGBT o'r radd flaenaf ar gyfer cymwysiadau pŵer uchel - CRE, Bydd y cynnyrch yn cyflenwi i bob cwr o'r byd, megis: Moroco, El Salvador, Leicester, "Ansawdd da a phris rhesymol" yw ein hegwyddorion busnes. Os oes gennych ddiddordeb yn ein cynnyrch neu os oes gennych unrhyw gwestiynau, mae croeso i chi gysylltu â ni. Rydym yn gobeithio sefydlu perthnasoedd cydweithredol â chi yn y dyfodol agos.

Hidlydd Ac a Ddefnyddir ar gyfer System Pŵer Tyniant Rheilffordd

Cynhwysydd DC-Link ar gyfer Gwrthdroyddion Diwydiannol

Cynhwysydd Ffilm Math Sych

Ffatri Cynhwysydd Ffilm

Gwneuthurwr Cynhwysydd Ffilm

Cyflenwr Cynhwysydd Byd-eang

Cynwysyddion Storio Ynni Uchel

Snubber Igbt

Cynhwysydd Atseiniol Ffwrnais Amledd Canolig

Cynhwysydd Pŵer Ar Gyfer Cyswllt DC

Mae'r cwmni'n cadw at y cysyniad gweithredu "rheolaeth wyddonol, ansawdd uchel ac effeithlonrwydd yn flaenoriaeth, cwsmer yn oruchaf", rydym wedi cynnal cydweithrediad busnes bob amser. Gweithio gyda chi, rydym yn teimlo'n hawdd!