Cynhwysydd Snubber sy'n Gwneud Ffatri Ar Gyfer Igbt - Dielectrig colled isel o ffilm polypropylen Cynhwysydd Snubber ar gyfer cymhwysiad IGBT – CRE

Cynhwysydd Snubber sy'n gwneud ffatri ar gyfer Igbt - Dielectrig colled isel o ffilm polypropylen Cynhwysydd Snubber ar gyfer cymhwysiad IGBT – Delwedd Nodwedd CRE

Disgrifiad Byr:

Anfonwch e-bost atom ni Lawrlwytho fel PDF

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Fideo Perthnasol

Adborth (2)

Arloesedd, rhagoriaeth a dibynadwyedd yw gwerthoedd craidd ein cwmni. Mae'r egwyddorion hyn heddiw, yn fwy nag erioed, yn sail i'n llwyddiant fel busnes canolig ei faint sy'n weithredol yn rhyngwladol ar gyferCynhwysydd DC-Link ar gyfer Cymhwysiad Modurol , Cynwysyddion DC-Link mewn Trawsnewidyddion Pŵer , Cynhwysydd Ffilm Polypropylen Foltedd UchelRydym yn rhoi blaenoriaeth i ansawdd a boddhad cwsmeriaid ac ar gyfer hyn rydym yn dilyn mesurau rheoli ansawdd llym. Mae gennym gyfleusterau profi mewnol lle mae ein cynnyrch yn cael eu profi ar bob agwedd ar wahanol gamau prosesu. Gan ddefnyddio'r technolegau diweddaraf, rydym yn hwyluso ein cwsmeriaid gyda chyfleuster cynhyrchu wedi'i deilwra.

Cynhwysydd Snubber sy'n gwneud ffatri ar gyfer Igbt - Dielectrig colled isel o ffilm polypropylen Cynhwysydd Snubber ar gyfer cymhwysiad IGBT – Manylion CRE:

Cyfres SMJ-P

Ystod Foltedd Graddio: 1000 VDC i 2000 VDC
Ystod Cynhwysedd: 0.1 uf i 3.0 uf
Pellter Mowntio: 22.5 mm i 48 mm
Adeiladwaith: Cysylltiad Cyfres Mewnol Dielectrig Polypropylen Metelaidd
Cais: Amddiffyniad IGBT, Cylchedau Tanc Resonans

Mae'r elfennau cynhwysydd snubber, math sych, hunan-iachâd yn cael eu cynhyrchu gan ddefnyddio ffilm PP metelaidd wedi'i thorri â thonnau wedi'i phroffilio'n arbennig sy'n sicrhau hunan-anwythiad isel, ymwrthedd uchel i rwygo a dibynadwyedd uchel. Ni ystyrir bod datgysylltu gor-bwysau yn angenrheidiol. Mae top y cynhwysydd wedi'i selio ag epocsi ecogyfeillgar sy'n hunan-ddiffodd. Mae dyluniad arbennig yn sicrhau hunan-anwythiad isel iawn.

IMG_0397.HEIC

Tabl manyleb

Foltedd	Un 700V.DC, Urms400Vac; Us1050V
	Dimensiwn (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	Saesneg fel Ail Iaith (nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33

Foltedd	Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	Dimensiwn (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	Saesneg fel Ail Iaith (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

Foltedd	Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	Saesneg fel Ail Iaith (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

Foltedd	Un 1700V.DC, Urms575Vac; Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	Saesneg fel Ail Iaith (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

Foltedd	Un 2000V.DC, Urms700Vac; Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	Saesneg fel Ail Iaith (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

Foltedd	Un 3000V.DC, Urms750Vac; Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	Saesneg fel Ail Iaith (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

Lluniau manylion cynnyrch:

Canllaw Cynnyrch Perthnasol:

Rydym yn cymryd "cyfeillgar i gwsmeriaid, sy'n canolbwyntio ar ansawdd, integreiddiol, arloesol" fel amcanion. "Gwirionedd a gonestrwydd" yw ein delfryd rheoli ar gyfer Cynhwysydd Snubber gwneud Ffatri ar gyfer Igbt - Dielectrig colled isel o ffilm polypropylen Cynhwysydd Snubber ar gyfer cymhwysiad IGBT - CRE, Bydd y cynnyrch yn cyflenwi i bob cwr o'r byd, megis: Ghana, Haiti, Brasilia, Mae ein cynnyrch yn cael eu cydnabod a'u hymddiried yn eang gan ddefnyddwyr a gallant ddiwallu anghenion economaidd a chymdeithasol sy'n newid yn barhaus. Rydym yn croesawu cwsmeriaid newydd a hen o bob cefndir i gysylltu â ni ar gyfer perthnasoedd busnes yn y dyfodol a llwyddiant i'r ddwy ochr!

Banc Cynhwysydd Ffilm Ac