Snubber Cynhwysydd Ffilm Cyfredol Uchel ar gyfer Peiriant Weldio (SMJ-TC)

Cynhwysydd Ffilm Cyfredol Uchel Snubber ar gyfer Peiriant Weldio (SMJ-TC) Delwedd dan Sylw

Disgrifiad Byr:

Model Cynhwysydd: SMJ-TC

Nodweddion:

1. electrodau cnau copr

2. maint corfforol bach a gosod hawdd

3. technoleg dirwyn i ben tâp Mylar

4. llenwi resin sych

5. Anwythiad Cyfres Cyfwerth Isel (ESL) ac Ymwrthedd Cyfres Cyfwerth (ESR)

Ceisiadau:

1. GTO Snubber

2. Foltedd Brig ac Amsugno Cyfredol Brig ac Amddiffyn ar gyfer Newid Cydran mewn Offer Electronig

Mae cylchedau snubber yn hanfodol ar gyfer deuodau a ddefnyddir wrth newid cylchedau.Gall arbed deuod rhag pigau overvoltage, a all godi yn ystod y broses adfer gwrthdro.

Anfonwch e-bost atom Lawrlwythwch fel PDF

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Data technegol

Amrediad tymheredd gweithredu	Tymheredd gweithredu uchaf., Uchaf, uchafswm: + 85 ℃ tymheredd categori uchaf: +85 ℃ tymheredd categori is: -40 ℃
ystod capacitance	0.22 ～ 3μF
Foltedd graddedig	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5%(J); ±10%(K)
Gwrthsefyll foltedd	1.35Un DC/10S
Ffactor afradu	tgδ≤0.001 f=1KHz
Gwrthiant inswleiddio	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ar 20 ℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (ar 20 ℃ 100V.DC 60S)
Gwrthsefyll cerrynt streic	gweler y daflen ddata
Disgwyliad oes	100000h(Dad; Θ man poeth ≤70 ° C)
Safon gyfeirio	IEC 61071;

Nodwedd

1. Tâp Mylar, Wedi'i selio â resin;

2. Mae cnau copr yn arwain;

3. Gwrthwynebiad i foltedd uchel, tgδ isel, codiad tymheredd isel;

4. isel ESL ac ESR;

5. Cyfredol pwls uchel.

Cais

1. GTO Snubber.

2. a ddefnyddir yn eang mewn offer electronig pŵer pan fydd y foltedd brig, brig amddiffyn amsugno presennol.

Cylched nodweddiadol

Amlinelliad o luniad

Manyleb

Un=3000V.DC
Cynhwysedd (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Cynhwysedd (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Cynhwysedd (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260. llarieidd-dra eg	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Cynhwysedd (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Cynhwysedd (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816. llarieidd	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70