• bbb

Cynhwysydd ffilm metalized IGBT Snubber

Disgrifiad Byr:

1. Achos plastig, Wedi'i selio â resin;

2. gwifrau mewnosod copr tun-plated, gosodiad hawdd ar gyfer IGBT;

3. Gwrthwynebiad i foltedd uchel, tgδ isel, cynnydd tymheredd isel;

4. isel ESL ac ESR;

5. Cyfredol pwls uchel.

 


Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Cyfres SMJ-P

Mewn cymwysiadau electroneg pŵer, mae cynhwysydd snubber wedi'i gysylltu â nod newid cerrynt mawr er mwyn lleihau anwythiad parasitig gwifrau trydan.

Mae anwythiad parasitig yn achosi ymchwydd mawr wrth ddiffodd (pan fydd y cerrynt wedi'i rwystro), a phe bai ymchwyddiadau o'r fath yn uwch na chyfraddau cydrannau, mae pryderon ynghylch methiant dilynol yn yr achos gwaethaf.

Trwy ddefnyddio cystrawennau mewnol anwythiad isel, casys resin wedi'u mowldio opsiynol, a therfyniadau wedi'u haddasu, mae Cyfres SMJ-P wedi'u cynllunio ar gyfer newid cyflym IGBTS a gallant wasanaethu fel snubbers a hidlwyr mewnbwn amledd uchel cyfredol uchel.

cynhwysydd snubber

Data technegol

foltedd Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
Dimensiwn (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @ 40 ℃ @ 100KHz (A)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140. llarieidd-dra eg 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225. llarieidd-dra eg 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316. llarieidd-dra eg 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380. llarieidd-dra eg 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496. llarieidd-dra eg 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
foltedd Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
Dimensiwn (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815. llarieidd-dra eg 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750. llathredd eg 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
foltedd Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750. llathredd eg 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815. llarieidd-dra eg 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750. llathredd eg 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 32
foltedd Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750. llathredd eg 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
foltedd Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816. llarieidd 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
foltedd Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

  • Pâr o:
  • Nesaf:

  • Anfonwch eich neges atom:

    Ysgrifennwch eich neges yma a'i hanfon atom

    Anfonwch eich neges atom: