Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd DC-Link Ar Gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd Snubber IGBT ffilm wedi'i feteleiddio – CRE

Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd DC-Link Ar Gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd Snubber IGBT ffilm wedi'i feteleiddio – Delwedd Nodwedd CRE

Disgrifiad Byr:

Anfonwch e-bost atom ni Lawrlwytho fel PDF

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Fideo Perthnasol

Adborth (2)

Rydym yn ymfalchïo mewn statws eithriadol o ragorol ymhlith ein prynwyr am ansawdd ein nwyddau gwych, pris cystadleuol a'r gefnogaeth orau iCynhwysydd Ffilm Cas Alwminiwm Silindrog , Hidlydd Ac Math Sych , Cynhwysydd Ymchwydd, Diolch am gymryd eich amser gwerthfawr i ymweld â ni ac edrychaf ymlaen at gael cydweithrediad braf â chi.

Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd Dc-Link Ar Gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd Snubber IGBT ffilm wedi'i feteleiddio – Manylion CRE:

Data technegol

Ystod tymheredd gweithredu	Tymheredd gweithredu uchaf., Uchaf, uchaf: +105℃Tymheredd categori uchaf: +85℃Tymheredd categori isaf: -40℃
ystod cynhwysedd	0.1μF～5.6μF
Foltedd graddedig	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J); ±10%(K)
Gwrthsefyll foltedd	1.5Un DC/10S
Ffactor gwasgariad	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
Gwrthiant inswleiddio	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ar 20℃ 100V.DC 60S) C > 0.33μF RS * C ≥5000S (ar 20℃ 100V.DC 60S)
Gwrthsefyll cerrynt streic	具体见规格表
Ataliad fflam	UL94V-0
Disgwyliad oes	100000h(Dad; Θ man poeth ≤85 ° C)
Safon gyfeirio	IEC61071;GB/T17702;

Foltedd			Un 700V.DC, Urms400Vac; Us1050V
	Dimensiwn (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	Saesneg fel Ail Iaith (nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33


Foltedd			Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	Dimensiwn (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	Saesneg fel Ail Iaith (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

Foltedd			Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	Saesneg fel Ail Iaith (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

Foltedd			Un 1700V.DC, Urms575Vac; Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	Saesneg fel Ail Iaith (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

Foltedd			Un 2000V.DC, Urms700Vac; Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	Saesneg fel Ail Iaith (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

Foltedd			Un 3000V.DC, Urms750Vac; Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	Saesneg fel Ail Iaith (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

Nodwedd

1. Plastig, wedi'i selio â resin;

2. Mewnosodiadau copr wedi'u platio â thun mewn gwifrau, gosodiad hawdd ar gyfer IGBT;

3. Gwrthiant i foltedd uchel, tgδ isel, codiad tymheredd isel;

4. ESL ac ESR isel;

5. Cerrynt pwls uchel.

Drwy ddefnyddio adeiladwaith mewnol anwythiant isel, casys resin mowldio dewisol, a therfyniadau wedi'u haddasu, mae Cyfres SMJ-P wedi'u cynllunio ar gyfer newid IGBTS yn gyflym a gallant wasanaethu fel snubbers a hidlwyr mewnbwn amledd uchel cerrynt uchel.

Lluniau manylion cynnyrch:

Canllaw Cynnyrch Perthnasol:

Rydym hefyd wedi bod yn arbenigo mewn gwella'r system gweinyddu pethau a QC er mwyn sicrhau y gallem gadw enillion aruthrol o fewn y cwmni cystadleuol iawn ar gyfer Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd Dc-Link Ar Gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd Snubber IGBT ffilm feteleiddiedig – CRE, Bydd y cynnyrch yn cael ei gyflenwi i bob cwr o'r byd, megis: Seattle, Wellington, Lithwania, Gan fanteisio ar grefftwaith profiadol, gweinyddiaeth wyddonol ac offer uwch, rydym yn sicrhau ansawdd cynnyrch cynhyrchu, nid yn unig yr ydym yn ennill ffydd y cwsmeriaid, ond hefyd yn adeiladu ein brand. Heddiw, mae ein tîm wedi ymrwymo i arloesi, a goleuedigaeth ac uno gydag ymarfer cyson a doethineb ac athroniaeth ragorol, rydym yn darparu ar gyfer galw'r farchnad am gynhyrchion pen uchel, i wneud cynhyrchion proffesiynol.

Cynhwysydd Ffilm Snubber Echelinol