E-mail: info@cre-elec.com
English
  • bbb

Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd Dc-Link ar gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd ffilm metelaidd IGBT Snubber - CRE

Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd Dc-Link Ar Gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd Ffilm Metelaidd IGBT Snubber - Delwedd dan Sylw CRE
  • Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd Dc-Link ar gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd ffilm metelaidd IGBT Snubber - CRE
  • Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd Dc-Link ar gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd ffilm metelaidd IGBT Snubber - CRE
  • Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd Dc-Link ar gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd ffilm metelaidd IGBT Snubber - CRE
  • Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd Dc-Link ar gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd ffilm metelaidd IGBT Snubber - CRE

Disgrifiad Byr:


Lawrlwythwch fel PDF

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Fideo Cysylltiedig

Adborth (2)

Mae wir yn ffordd dda o wella ein nwyddau a'n gwasanaeth ymhellach.Ein cenhadaeth fyddai caffael eitemau dyfeisgar i brynwyr gyda chyfarfyddiad da iawn ar eu cyferCynhwysydd Pŵer Ffilm Metalized , Dylunio Cynhwysydd Ffilm , Cynhwysydd Pfc, Rydym yn croesawu cleientiaid newydd a blaenorol o bob math o ffordd o fyw i gysylltu â ni ar gyfer perthnasoedd busnes hirdymor a chyflawniad cydfuddiannol!
Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd Dc-Link ar gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd ffilm metelaidd IGBT Snubber - Manylion CRE:

Data technegol

 

Amrediad tymheredd gweithredu Tymheredd gweithredu uchaf., Uchaf, uchafswm: +105 ℃ tymheredd categori uchaf: +85 ℃ tymheredd categori is: -40 ℃
ystod capacitance 0.1μF～5.6μF
Foltedd graddedig 700V.DC ～3000V.DC
Cap.tol ±5%(J); ±10%(K)
Gwrthsefyll foltedd 1.5Un DC/10S
Ffactor afradu tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
Gwrthiant inswleiddio

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ar 20 ℃ 100V.DC 60S)

C＞0.33μF RS*C≥5000S(ar20℃ 100V.DC 60S)
Gwrthsefyll cerrynt streic

具体见规格表
arafu fflamau

UL94V-0
Disgwyliad oes

100000h(Dad; Θ man poeth ≤85 ° C)
Safon gyfeirio

IEC61071;GB/T17702;

 

foltedd Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
Dimensiwn (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @ 40 ℃ @ 100KHz (A)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140. llarieidd-dra eg 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225. llarieidd-dra eg 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316. llarieidd-dra eg 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380. llarieidd-dra eg 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496. llarieidd-dra eg 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33

 

foltedd Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
Dimensiwn (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815. llarieidd-dra eg 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750. llathredd eg 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32

 

foltedd Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750. llathredd eg 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815. llarieidd-dra eg 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750. llathredd eg 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 32

 

foltedd Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750. llathredd eg 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32

 

foltedd Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816. llarieidd 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32

 

foltedd Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

Nodwedd

1. Plastig, Wedi'i selio â resin;

2. gwifrau mewnosod copr tun-plated, gosodiad hawdd ar gyfer IGBT;

3. Gwrthwynebiad i foltedd uchel, tgδ isel, cynnydd tymheredd isel;

4. isel ESL ac ESR;

5. Cyfredol pwls uchel.

Trwy ddefnyddio cystrawennau mewnol anwythiad isel, casys resin wedi'u mowldio opsiynol, a therfyniadau wedi'u haddasu, mae Cyfres SMJ-P wedi'u cynllunio ar gyfer newid cyflym IGBTS a gallant wasanaethu fel snubbers a hidlwyr mewnbwn amledd uchel cyfredol uchel.

Lluniau manylion cynnyrch:

Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd Dc-Link ar gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd ffilm metelaidd IGBT Snubber - lluniau manwl CRE

Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd Dc-Link ar gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd ffilm metelaidd IGBT Snubber - lluniau manwl CRE

Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd Dc-Link ar gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd ffilm metelaidd IGBT Snubber - lluniau manwl CRE

Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd Dc-Link ar gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd ffilm metelaidd IGBT Snubber - lluniau manwl CRE

Canllaw Cynnyrch Cysylltiedig:
Ein prif amcan bob amser yw cynnig perthynas fusnes bach difrifol a chyfrifol i'n cleientiaid, gan gynnig sylw personol i bob un ohonynt ar gyfer Tsieina Gwneuthurwr ar gyfer Dc-Link Capacitor For Power Supplies - Ffilm fetalized IGBT Snubber capacitor - CRE , Bydd y cynnyrch yn cyflenwi i bawb dros y byd, megis: Saudi Arabia, Islamabad, America, Yn y ganrif newydd, rydym yn hyrwyddo ein hysbryd menter "Unedig, diwyd, effeithlonrwydd uchel, arloesi", ac yn cadw at ein polisi" yn seiliedig ar ansawdd, byddwch yn fentrus, yn drawiadol ar gyfer brand o'r radd flaenaf".Byddem yn achub ar y cyfle euraidd hwn i greu dyfodol disglair.
    • Mae amrywiaeth cynnyrch yn gyflawn, o ansawdd da ac yn rhad, mae'r cyflenwad yn gyflym ac mae cludiant yn ddiogelwch, yn dda iawn, rydym yn hapus i gydweithio â chwmni ag enw da! 5 Seren Gan Nicole o Melbourne - 2018.06.18 17:25
    Fel cwmni masnachu rhyngwladol, mae gennym nifer o bartneriaid, ond am eich cwmni, rwyf am ddweud, rydych chi'n dda iawn, ystod eang, ansawdd da, prisiau rhesymol, gwasanaeth cynnes a meddylgar, technoleg uwch ac offer ac mae gan weithwyr hyfforddiant proffesiynol , mae adborth a diweddariad cynnyrch yn amserol, yn fyr, mae hwn yn gydweithrediad dymunol iawn, ac edrychwn ymlaen at y cydweithrediad nesaf! 5 Seren Gan Grace o Johor - 2017.08.16 13:39

    Anfonwch eich neges atom:

    Ysgrifennwch eich neges yma a'i hanfon atom

    Categorïau cynhyrchion

    Anfonwch eich neges atom: