Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd Dc-Link ar gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd ffilm metelaidd IGBT Snubber - CRE

Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd Dc-Link Ar Gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd Ffilm Metelaidd IGBT Snubber - Delwedd dan Sylw CRE

Disgrifiad Byr:

Anfonwch e-bost atom Lawrlwythwch fel PDF

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Fideo Cysylltiedig

Adborth (2)

Rydym yn gwybod ein bod yn ffynnu dim ond os gallwn warantu ein cystadleuol pris cyfunol ac ansawdd yn fanteisiol ar yr un pryd ar gyferCynhwysydd Hidlydd wedi'i Customized , Cyflenwr Cynhwysydd Byd-eang , Cynhwysydd Pŵer Dc, Rydym yn gwerthfawrogi eich ymholiad, Am fwy o fanylion, cysylltwch â ni, byddwn yn ateb ichi ASAP!

Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd Dc-Link ar gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd ffilm metelaidd IGBT Snubber - Manylion CRE:

Data technegol

Amrediad tymheredd gweithredu	Tymheredd gweithredu uchaf., Uchaf, uchafswm: +105 ℃ tymheredd categori uchaf: +85 ℃ tymheredd categori is: -40 ℃
ystod capacitance	0.1μF～5.6μF
Foltedd graddedig	700V.DC ～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J); ±10%(K)
Gwrthsefyll foltedd	1.5Un DC/10S
Ffactor afradu	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
Gwrthiant inswleiddio	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ar 20 ℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S(ar20℃ 100V.DC 60S)
Gwrthsefyll cerrynt streic	具体见规格表
arafu fflamau	UL94V-0
Disgwyliad oes	100000h(Dad; Θ man poeth ≤85 ° C)
Safon gyfeirio	IEC61071;GB/T17702;

foltedd			Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Dimensiwn (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @ 40 ℃ @ 100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140. llarieidd-dra eg	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225. llarieidd-dra eg	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316. llarieidd-dra eg	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380. llarieidd-dra eg	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496. llarieidd-dra eg	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33


foltedd			Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	Dimensiwn (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800. llarieidd-dra eg	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815. llarieidd-dra eg	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750. llathredd eg	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

foltedd			Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750. llathredd eg	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800. llarieidd-dra eg	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815. llarieidd-dra eg	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750. llathredd eg	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800. llarieidd-dra eg	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

foltedd			Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800. llarieidd-dra eg	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800. llarieidd-dra eg	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750. llathredd eg	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800. llarieidd-dra eg	32

foltedd			Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816. llarieidd	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

foltedd			Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800. llarieidd-dra eg	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

Nodwedd

1. Plastig, Wedi'i selio â resin;

2. gwifrau mewnosod copr tun-plated, gosodiad hawdd ar gyfer IGBT;

3. Gwrthwynebiad i foltedd uchel, tgδ isel, cynnydd tymheredd isel;

4. isel ESL ac ESR;

5. Cyfredol pwls uchel.

Trwy ddefnyddio cystrawennau mewnol anwythiad isel, casys resin wedi'u mowldio opsiynol, a therfyniadau wedi'u haddasu, mae Cyfres SMJ-P wedi'u cynllunio ar gyfer newid cyflym IGBTS a gallant wasanaethu fel snubbers a hidlwyr mewnbwn amledd uchel cyfredol uchel.

Lluniau manylion cynnyrch:

Canllaw Cynnyrch Cysylltiedig:

Mae gennym lawer o aelodau staff rhagorol sy'n dda am farchnata, QC, a delio â mathau o broblem drafferthus yn y broses gynhyrchu ar gyfer Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Dc-Link Capacitor For Power Supplies - Ffilm fetalized IGBT Snubber capacitor - CRE, Bydd y cynnyrch yn cyflenwi i bobman. y byd, megis: Johor, Macedonia, Sri Lanka, Os ydych chi am unrhyw reswm yn ansicr pa gynnyrch i'w ddewis, mae croeso i chi gysylltu â ni ac rydym yn mynd i fod yn falch iawn o'ch cynghori a'ch cynorthwyo.Fel hyn rydyn ni'n mynd i fod yn rhoi'r holl wybodaeth sydd ei hangen arnoch chi i wneud y dewis gorau.Mae ein cwmni yn dilyn yn llym "Goroesi gan ansawdd da, Datblygu trwy gadw credyd da." polisi gweithredu.Croeso i'r holl gleientiaid hen a newydd ymweld â'n cwmni a siarad am y busnes.Rydym wedi bod yn chwilio am fwy a mwy o gwsmeriaid i greu dyfodol gogoneddus.

Cynhwysydd Ffilm Echelinol Snubber