E-mail: info@cre-elec.com
English
  • bbb

Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd DC-Link Ar Gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd Snubber IGBT ffilm wedi'i feteleiddio – CRE

Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd DC-Link Ar Gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd Snubber IGBT ffilm wedi'i feteleiddio – Delwedd Nodwedd CRE
  • Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd DC-Link Ar Gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd Snubber IGBT ffilm wedi'i feteleiddio – CRE
  • Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd DC-Link Ar Gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd Snubber IGBT ffilm wedi'i feteleiddio – CRE
  • Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd DC-Link Ar Gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd Snubber IGBT ffilm wedi'i feteleiddio – CRE
  • Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd DC-Link Ar Gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd Snubber IGBT ffilm wedi'i feteleiddio – CRE

Disgrifiad Byr:


Lawrlwytho fel PDF

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Fideo Perthnasol

Adborth (2)

Gyda'r arwyddair hwn mewn golwg, rydym wedi dod yn un o'r gweithgynhyrchwyr mwyaf arloesol yn dechnolegol, cost-effeithlon, a chystadleuol o ran pris ar gyferCynhwysydd Ffilm a Ddefnyddir ar gyfer Delweddu Meddygol , Cynwysyddion Pŵer Ar Gyfer Cerbydau Trydan , Cynhwysydd Ffilm Electronig PŵerEin prif amcanion yw darparu ansawdd uchel, pris gwerthu cystadleuol, danfoniad bodlon a darparwyr rhagorol i'n defnyddwyr ledled y byd.
Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd Dc-Link Ar Gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd Snubber IGBT ffilm wedi'i feteleiddio – Manylion CRE:

Data technegol

 

Ystod tymheredd gweithredu Tymheredd gweithredu uchaf., Uchaf, uchaf: +105℃Tymheredd categori uchaf: +85℃Tymheredd categori isaf: -40℃
ystod cynhwysedd 0.1μF～5.6μF
Foltedd graddedig 700V.DC～3000V.DC
Cap.tol ±5%(J); ±10%(K)
Gwrthsefyll foltedd 1.5Un DC/10S
Ffactor gwasgariad tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
Gwrthiant inswleiddio

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ar 20℃ 100V.DC 60S)

C > 0.33μF RS * C ≥5000S (ar 20℃ 100V.DC 60S)
Gwrthsefyll cerrynt streic

具体见规格表
Ataliad fflam

UL94V-0
Disgwyliad oes

100000h(Dad; Θ man poeth ≤85 ° C)
Safon gyfeirio

IEC61071;GB/T17702;

 

Foltedd Un 700V.DC, Urms400Vac; Us1050V
Dimensiwn (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) Saesneg fel Ail Iaith (nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33

 

Foltedd Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
Dimensiwn (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) Saesneg fel Ail Iaith (nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32

 

Foltedd Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) Saesneg fel Ail Iaith (nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 32

 

Foltedd Un 1700V.DC, Urms575Vac; Us2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) Saesneg fel Ail Iaith (nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32

 

Foltedd Un 2000V.DC, Urms700Vac; Us3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) Saesneg fel Ail Iaith (nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32

 

Foltedd Un 3000V.DC, Urms750Vac; Us4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) Saesneg fel Ail Iaith (nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

Nodwedd

1. Plastig, wedi'i selio â resin;

2. Mewnosodiadau copr wedi'u platio â thun mewn gwifrau, gosodiad hawdd ar gyfer IGBT;

3. Gwrthiant i foltedd uchel, tgδ isel, codiad tymheredd isel;

4. ESL ac ESR isel;

5. Cerrynt pwls uchel.

Drwy ddefnyddio adeiladwaith mewnol anwythiant isel, casys resin mowldio dewisol, a therfyniadau wedi'u haddasu, mae Cyfres SMJ-P wedi'u cynllunio ar gyfer newid IGBTS yn gyflym a gallant wasanaethu fel snubbers a hidlwyr mewnbwn amledd uchel cerrynt uchel.

Lluniau manylion cynnyrch:

Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd DC-Link Ar Gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd Snubber IGBT ffilm wedi'i feteleiddio – lluniau manylion CRE

Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd DC-Link Ar Gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd Snubber IGBT ffilm wedi'i feteleiddio – lluniau manylion CRE

Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd DC-Link Ar Gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd Snubber IGBT ffilm wedi'i feteleiddio – lluniau manylion CRE

Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd DC-Link Ar Gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd Snubber IGBT ffilm wedi'i feteleiddio – lluniau manylion CRE

Canllaw Cynnyrch Perthnasol:
Gan lynu wrth y gred o "Greu cynhyrchion o ansawdd uchel a gwneud ffrindiau gyda phobl o bob cwr o'r byd", rydym bob amser yn rhoi buddiannau cwsmeriaid yn y lle cyntaf i Gwneuthurwr Tsieina ar gyfer Cynhwysydd Dc-Link Ar Gyfer Cyflenwadau Pŵer - Cynhwysydd Snubber IGBT ffilm feteleiddiedig – CRE, Bydd y cynnyrch yn cael ei gyflenwi i bob cwr o'r byd, megis: Norwy, Marseille, Ghana, Yn ystod 11 mlynedd, rydym wedi cymryd rhan mewn mwy nag 20 o arddangosfeydd, ac wedi cael y ganmoliaeth uchaf gan bob cwsmer. Mae ein cwmni wedi bod yn ymroi i'r "cwsmer yn gyntaf" ac wedi ymrwymo i helpu cwsmeriaid i ehangu eu busnes, fel eu bod yn dod yn Fos Mawr!
    • Mae'r gwasanaeth gwarant ôl-werthu yn amserol ac yn feddylgar, gellir datrys problemau sy'n dod ar draws yn gyflym iawn, rydym yn teimlo'n ddibynadwy ac yn ddiogel. 5 Seren Gan Elizabeth o'r Ariannin - 2017.04.28 15:45
    Nid yn unig mae gan staff technegol y ffatri lefel uchel o dechnoleg, mae eu lefel Saesneg hefyd yn dda iawn, mae hyn yn gymorth mawr i gyfathrebu technoleg. 5 Seren Gan Freda o Awstria - 2018.12.22 12:52

    Anfonwch eich neges atom ni:

    Ysgrifennwch eich neges yma a'i hanfon atom ni

    Categorïau cynhyrchion

    Anfonwch eich neges atom ni: