• bbb

Cynhwysydd snubber GTO mewn offer electronig pŵer

Disgrifiad Byr:

Mae cylchedau snubber yn hanfodol ar gyfer deuodau a ddefnyddir wrth newid cylchedau.Gall arbed deuod rhag pigau overvoltage, a all godi yn ystod y broses adfer gwrthdro.


Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Data technegol

Amrediad tymheredd gweithredu Tymheredd gweithredu uchaf., Uchaf, uchafswm: + 85 ℃ tymheredd categori uchaf: +85 ℃ tymheredd categori is: -40 ℃
ystod capacitance

0.22 ~ 3μF

Foltedd graddedig

3000V.DC~10000V.DC

Cap.tol

±5%(J); ±10%(K)

Gwrthsefyll foltedd

1.35Un DC/10S

Ffactor afradu

tgδ≤0.001 f=1KHz

Gwrthiant inswleiddio

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ar 20 ℃ 100V.DC 60S)

C>0.33μF RS*C≥5000S (ar 20 ℃ 100V.DC 60S)

Gwrthsefyll cerrynt streic

gweler y daflen ddata

Disgwyliad oes

100000h(Dad; Θ man poeth ≤70 ° C)

Safon gyfeirio

IEC 61071;

Nodwedd

1. Tâp Mylar, Wedi'i selio â resin;

2. Mae cnau copr yn arwain;

3. Gwrthwynebiad i foltedd uchel, tgδ isel, codiad tymheredd isel;

4. isel ESL ac ESR;

5. Cyfredol pwls uchel.

Cais

1. GTO Snubber.

2. a ddefnyddir yn eang mewn offer electronig pŵer pan fydd y foltedd brig, brig amsugno presennol amddiffyn.

Cylchdaith nodweddiadol

1

Amlinelliad o luniad

2

Manyleb

Un=3000V.DC

Cynhwysedd (μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.22

35

44

52

25

1100

242

30

0.33

43

44

52

25

1000

330

35

0.47

51

44

52

22

850

399

45

0.68

61

44

52

22

800

544

55

1

74

44

52

20

700

700

65

1.2

80

44

52

20

650

780

75

1.5

52

70

84

30

600

900

45

2.0

60

70

84

30

500

1000

55

3.0

73

70

84

30

400

1200

65

4.0

83

70

84

30

350

1400

70

Un=6000V.DC

Cynhwysedd (μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.22

43

60

72

25

1500

330

35

0.33

52

60

72

25

1200

396

45

0.47

62

60

72

25

1000

470

50

0.68

74

60

72

22

900

612

60

1

90

60

72

22

800

900

75

 

Un=7000V.DC

Cynhwysedd (μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.22

45

57

72

25

1100

242

30

0.68

36

80

92

28

1000

680

25

1.0

43

80

92

28

850

850

30

1.5

52

80

92

25

800

1200

35

1.8

57

80

92

25

700

1260. llarieidd-dra eg

40

2.0

60

80

92

23

650

1300

45

3.0

73

80

92

22

500

1500

50

 

Un=8000V.DC

Cynhwysedd (μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.33

35

90

102

30

1100

363

25

0.47

41

90

102

28

1000

470

30

0.68

49

90

102

28

850

578

35

1

60

90

102

25

800

800

40

1.5

72

90

102

25

700

1050

45

2.0

83

90

102

25

650

1300

50

 

Un=10000V.DC

Cynhwysedd (μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.33

45

114

123

35

1500

495

30

0.47

54

114

123

35

1300

611

35

0.68

65

114

123

35

1200

816. llarieidd

40

1

78

114

123

30

1000

1000

55

1.5

95

114

123

30

800

1200

70


  • Pâr o:
  • Nesaf:

  • Anfonwch eich neges atom:

    Ysgrifennwch eich neges yma a'i hanfon atom

    Anfonwch eich neges atom: