• bbb

Dielectric colled isel o ffilm polypropylen Snubber cynhwysydd ar gyfer cais IGBT

Disgrifiad Byr:

Mae ystod CRE o gynwysorau snubber IGBT yn cydymffurfio â ROHS a REACH.

1. Sicrheir nodweddion gwrth-fflam trwy ddefnyddio amgaead plastig a llenwi diwedd epocsi sy'n cydymffurfio â UL94-VO.

2. Gellir addasu arddulliau terfynell a meintiau achosion.

 


  • :
  • Manylion Cynnyrch

    Tagiau Cynnyrch

    Cyfres SMJ-P

    Amrediad Foltedd Gradd: 1000 VDC i 2000 VDC
    Ystod Cynhwysedd: 0.1 uf i 3.0 uf
    Cae Mowntio: 22.5 mm i 48 mm
    Adeiladu: Cysylltiad Cyfres Mewnol Dielectric Polypropylen Metallized
    Cais: Diogelu IGBT, Cylchedau Tanc Cyseiniant

    Mae'r elfennau hunan-iachau, sych-fath, cynhwysydd snubber yn cael eu cynhyrchu gan ddefnyddio ffilm PP metelaidd wedi'i broffilio'n arbennig, sy'n sicrhau hunan-anwythiad isel, ymwrthedd rhwyg uchel a dibynadwyedd uchel.Ni ystyrir bod angen datgysylltu gorbwysedd.Mae top y cynhwysydd wedi'i selio ag epocsi eco-gyfeillgar hunan-ddiffodd.Mae dyluniad arbennig yn sicrhau anwythiad hunan isel iawn.

    IMG_0397.HEIC

    Tabl manyleb

    foltedd Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
    Dimensiwn (mm)
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @ 40 ℃ @ 100KHz (A)
    0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
    0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
    1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
    1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
    2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
    2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
    3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140. llarieidd-dra eg 20
    3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
    3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225. llarieidd-dra eg 25
    3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
    4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316. llarieidd-dra eg 25
    5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
    6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380. llarieidd-dra eg 28
    6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496. llarieidd-dra eg 32
    8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
    foltedd Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
    Dimensiwn (mm)
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
    0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
    0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
    1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
    1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
    2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
    2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
    3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
    3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815. llarieidd-dra eg 25
    3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750. llathredd eg 25
    4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
    4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 30
    5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
    foltedd Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
    0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
    0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
    1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
    1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
    2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
    2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750. llathredd eg 25
    3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
    3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815. llarieidd-dra eg 28
    3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750. llathredd eg 28
    4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
    4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 32
    foltedd Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
    0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
    0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
    0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
    1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
    1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
    1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
    2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
    2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
    3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
    3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 28
    3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750. llathredd eg 30
    4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
    foltedd Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
    0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
    0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
    0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
    0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816. llarieidd 18
    0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
    0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
    1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
    1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
    2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
    2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
    foltedd Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
    0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
    0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
    0.22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
    0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
    0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
    0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

  • Pâr o:
  • Nesaf:

  • Anfonwch eich neges atom:

    Ysgrifennwch eich neges yma a'i hanfon atom

    Anfonwch eich neges atom: